Учёные из Московского физико-технического института сумели создать сегнетоэлектрические плёнки из оксида гафния, которые отличаются сверхмалой толщиной - всего 2,5 нанометра. Как сообщила пресс-служба МФТИ, новый материал может положить начало существованию энергонезависимой памяти нового типа. Более того, скорость её работы не уступала бы современным чипам оперативной памяти при емкости, равной таковым у жестких дисков. В основе памяти нового типа будут лежать сегнетоэлектрические туннельные переходы, которые рассматриваются многими учеными мира, как наиболее перспективный технологический